노광과 에칭, 감광액

1. 노광과 에칭

출처

동판 PCB에 감광액을 바르고 아트워킹 패턴이 있는 네가 필름을 자외선으로 조사하여 PCB에 패턴의 상을 맺게하면 PCB의 패턴부분만 감광액이 경화하고 절연부가 되어야 할곳은 경화가 되지 않고 액체인 상태가 유지되는데 이때 PCB를 세척제에 담그면 액체상태의 감광액만 씻겨져 나가게 되고 동판의 PCB위에는 경화된 감광액으로 패턴만 남게 됩니다.

이게 노광기술입니다. 얼만큼 세밀한 패턴까지 인화 할수 있냐는 노광기술에 딸려 있겠지요.

노광 다음에는 에칭과정에 들어가는데, 에칭은 패턴이 없는 동판부분을 절연부로 만들기 위해 동박을 녹여내는 것입니다.  노광이 끝난 PCB를 염화제이철용액에 담구어 용액을 진동시키거나 그용액을 적당한 압력으로 분사 시키면 패턴에는 감광액이 남아 있기 때문에 염화제이철이 반응하지 못하고 나머지 동박만 녹아서 제거되어 절연부가 만들어지게 됩니다.

2. 감광액

출처

반도체 제조에는 실리콘 웨이퍼(원판) 표면 위에 미세한 회로를 그리기 위해서 빛을 이용하는 광학 공정이 있습니다.  이러한 광학 공정에 사용되는 액체를 감광액(PR, Photo Resist)라고 합니다.

웨이퍼 위에 균일하게 입혀진 감광액은 빛에 노출되면 화학적 성질이 변하게 됩니다.  이렇게 성질이 변한 부분만을 화학적으로 제거함으로써, 웨이퍼 위에 원하는 감광액 패턴만을 남길 수 있습니다.  빛을 사용해 패턴 모양을 결정하기 때문에 매우 세밀한 작업이 요구됩니다.

감광액은 빛에 노출된 부분이 제거되느냐, 노출되지 않는 부분이 제거되느냐에 따라 포지티브(positive) 및 네가티브(negative) 형으로 분류됩니다.  미세한 회로 패턴을 얻기 위해서는 막이 얇고 균일하며, 자외선 등에 대한 감도가 좋아야 합니다.